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SI3585CDV-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI3585CDV-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15844 Pieces
- Scheda dati:
- SI3585CDV-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.4W, 1.3W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SI3585CDV-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.9A, 2.1A |
| Email: | [email protected] |
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