PMDT290UCE,115
PMDT290UCE,115
Modello di prodotti:
PMDT290UCE,115
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16020 Pieces
Scheda dati:
PMDT290UCE,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:0.95V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-666
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:1727-1332-6
568-10765-6
568-10765-6-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PMDT290UCE,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:83pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA, 550mA 500mW Surface Mount SOT-666
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 20V SOT666
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:800mA, 550mA
Email:[email protected]

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