PMPB215ENEAX
PMPB215ENEAX
Modello di prodotti:
PMPB215ENEAX
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13853 Pieces
Scheda dati:
PMPB215ENEAX.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.7V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN2020MD (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:230 mOhm @ 1.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:934067477115
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PMPB215ENEAX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:215pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.9A (Ta)
Email:[email protected]

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