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APTM100DA18CT1G
- Modello di prodotti:
- APTM100DA18CT1G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16732 Pieces
- Scheda dati:
- APTM100DA18CT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP1 |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 216 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 657W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTM100DA18CT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 14800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 570nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 40A 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A |
| Email: | [email protected] |
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