Acquistare PMT760EN,115 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 950 mOhm @ 800mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta), 6.2W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
Altri nomi: | 934066918115 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | PMT760EN,115 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 160pF @ 80V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 900mA (Ta) 800mW (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V SC-73 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 900mA (Ta) |
Email: | [email protected] |