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QS6J3TR
- Modello di prodotti:
- QS6J3TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12578 Pieces
- Scheda dati:
- QS6J3TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS6J3TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS6J3TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT6 (SC-95) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.25W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | QS6J3TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per QS6J3TR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMC3035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | Inchiesta |
 |
DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | Inchiesta |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | Inchiesta |
|
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | Inchiesta |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Inchiesta |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | Inchiesta |
 |
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | Inchiesta |
|
APTC80H29SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | Inchiesta |
 |
SI4834BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | Inchiesta |
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