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APTM100H80FT1G
- Modello di prodotti:
- APTM100H80FT1G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19643 Pieces
- Scheda dati:
- 1.APTM100H80FT1G.pdf2.APTM100H80FT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP1 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Potenza - Max: | 208W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTM100H80FT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3876pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTM100H80FT1G
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