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RFD3055
- Modello di prodotti:
- RFD3055
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13788 Pieces
- Scheda dati:
- RFD3055.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RFD3055, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RFD3055 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251AA |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 53W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RFD3055 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 12A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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