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RJK03C1DPB-00#J5
- Modello di prodotti:
- RJK03C1DPB-00#J5
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18879 Pieces
- Scheda dati:
- RJK03C1DPB-00#J5.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | LFPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 65W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-100, SOT-669 |
| Altri nomi: | RJK03C1DPB-00#J5-ND RJK03C1DPB-00#J5TR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RJK03C1DPB-00#J5 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6000pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Body) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 60A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 60A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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