RN1441ATE85LF
RN1441ATE85LF
Modello di prodotti:
RN1441ATE85LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16798 Pieces
Scheda dati:
RN1441ATE85LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:100mV @ 3mA, 30mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:S-Mini
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):-
Resistenza - Base (R1) (ohm):5.6K
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:RN1441-A(TE85L,F)
RN1441ATE85LFTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RN1441ATE85LF
Frequenza - transizione:30MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 4mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):300mA
Email:[email protected]

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