RN2115,LF(CB
RN2115,LF(CB
Modello di prodotti:
RN2115,LF(CB
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19839 Pieces
Scheda dati:
RN2115,LF(CB.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SSM
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-75, SOT-416
Altri nomi:RN2115,LF(CT
RN2115LF(CBTR
RN2115LF(CTTR
RN2115LF(CTTR-ND
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:RN2115,LF(CB
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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