RN2707JE(TE85L,F)
RN2707JE(TE85L,F)
Modello di prodotti:
RN2707JE(TE85L,F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14304 Pieces
Scheda dati:
RN2707JE(TE85L,F).pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:ESV
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-553
Altri nomi:RN2707JE(TE85LF)TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RN2707JE(TE85L,F)
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Descrizione:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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