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RQ7E110AJTCR
- Modello di prodotti:
- RQ7E110AJTCR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14507 Pieces
- Scheda dati:
- RQ7E110AJTCR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 10mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9 mOhm @ 4.5A, 11V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | RQ7E110AJTCRTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RQ7E110AJTCR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2410pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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