RQK0607AQDQS#H1
RQK0607AQDQS#H1
Modello di prodotti:
RQK0607AQDQS#H1
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14258 Pieces
Scheda dati:
RQK0607AQDQS#H1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:UPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-243AA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:RQK0607AQDQS#H1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 2.4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount UPAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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