RSJ550N10TL
RSJ550N10TL
Modello di prodotti:
RSJ550N10TL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14847 Pieces
Scheda dati:
RSJ550N10TL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LPTS
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:16.8 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-83
Altri nomi:RSJ550N10TLTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:RSJ550N10TL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6150pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:143nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 55A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:55A (Ta)
Email:[email protected]

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