SBSS84LT1G
SBSS84LT1G
Modello di prodotti:
SBSS84LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18602 Pieces
Scheda dati:
SBSS84LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 Ohm @ 100mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):225mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:SBSS84LT1G-ND
SBSS84LT1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:36 Weeks
codice articolo del costruttore:SBSS84LT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:36pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione:MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:130mA (Ta)
Email:[email protected]

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