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SCT20N120
- Modello di prodotti:
- SCT20N120
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18492 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SCT20N120.pdf2.SCT20N120.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | HiP247™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 290 mOhm @ 10A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | 175W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | 497-15170 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SCT20N120 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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