SI1450DH-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI1450DH-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14157 Pieces
Scheda dati:
SI1450DH-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:47 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.56W (Ta), 2.78W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI1450DH-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.05nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 8V 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Tensione drain-source (Vdss):8V
Descrizione:MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
Email:[email protected]

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