Acquistare SI2323CDS-T1-GE3 con BYCHPS
Acquista con garanzia
Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 39 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
imballaggio: | Original-Reel® |
Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Altri nomi: | SI2323CDS-T1-GE3DKR |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
codice articolo del costruttore: | SI2323CDS-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1090pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |