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SI2329DS-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI2329DS-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18221 Pieces
- Scheda dati:
- SI2329DS-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 800mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±5V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | SI2329DS-T1-GE3-ND SI2329DS-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SI2329DS-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1485pF @ 4V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 8V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 8V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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