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SI3552DV-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI3552DV-T1-E3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15615 Pieces
- Scheda dati:
- SI3552DV-T1-E3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.15W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | SI3552DV-T1-E3TR SI3552DVT1E3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SI3552DV-T1-E3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SI3552DV-T1-E3
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