Acquistare SI3586DV-T1-GE3 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Potenza - Max: | 830mW |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Altri nomi: | SI3586DV-T1-GE3TR SI3586DVT1GE3 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | SI3586DV-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N and P-Channel |
Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A, 2.1A |
Email: | [email protected] |