SI3905DV-T1-E3
SI3905DV-T1-E3
Modello di prodotti:
SI3905DV-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19353 Pieces
Scheda dati:
SI3905DV-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:450mV @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Potenza - Max:1.15W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI3905DV-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Tensione drain-source (Vdss):8V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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