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SI5429DU-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI5429DU-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16561 Pieces
- Scheda dati:
- SI5429DU-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 15 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Altri nomi: | SI5429DU-T1-GE3DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI5429DU-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2320pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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