SI7236DP-T1-GE3
SI7236DP-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI7236DP-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15299 Pieces
Scheda dati:
SI7236DP-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V
Potenza - Max:46W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8 Dual
Altri nomi:SI7236DP-T1-GE3TR
SI7236DPT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SI7236DP-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A
Email:[email protected]

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