SI7862ADP-T1-E3
SI7862ADP-T1-E3
Modello di prodotti:
SI7862ADP-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18953 Pieces
Scheda dati:
SI7862ADP-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:3 mOhm @ 29A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SI7862ADP-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7340pF @ 8V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 16V 18A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tensione drain-source (Vdss):16V
Descrizione:MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

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