SIA918EDJ-T1-GE3
SIA918EDJ-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIA918EDJ-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18765 Pieces
Scheda dati:
SIA918EDJ-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:58 mOhm @ 3A, 4.5V
Potenza - Max:7.8W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Altri nomi:SIA918EDJ-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:SIA918EDJ-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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