SIA915DJ-T1-GE3
SIA915DJ-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIA915DJ-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19884 Pieces
Scheda dati:
SIA915DJ-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:87 mOhm @ 2.9A, 10V
Potenza - Max:6.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SC-70-6 Dual
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SIA915DJ-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:275pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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