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SIB419DK-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIB419DK-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14884 Pieces
- Scheda dati:
- SIB419DK-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SC-75-6L Single |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SC-75-6L |
| Altri nomi: | SIB419DK-T1-GE3TR SIB419DKT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SIB419DK-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 562pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.82nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 9A (Tc) 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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