SIE804DF-T1-GE3
SIE804DF-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIE804DF-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12690 Pieces
Scheda dati:
SIE804DF-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:10-PolarPAK® (SH)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:38 mOhm @ 7.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:10-PolarPAK® (SH)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SIE804DF-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 150V 37A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH)
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

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