SIF912EDZ-T1-E3
Modello di prodotti:
SIF912EDZ-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19586 Pieces
Scheda dati:
SIF912EDZ-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® (2x5)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Potenza - Max:1.6W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® 2x5
Altri nomi:SIF912EDZ-T1-E3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SIF912EDZ-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.4A
Email:[email protected]

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