Acquistare SISA18ADN-T1-GE3 con BYCHPS
Acquista con garanzia
SISA18ADN-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SISA18ADN-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12181 Pieces
- Scheda dati:
- SISA18ADN-T1-GE3.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SISA18ADN-T1-GE3, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SISA18ADN-T1-GE3 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +20V, -16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® 1212-8 |
| Altri nomi: | SISA18ADN-T1-GE3-ND SISA18ADN-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SISA18ADN-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1000pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 38.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SISA18ADN-T1-GE3
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers