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SM6K2T110
- Modello di prodotti:
- SM6K2T110
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18453 Pieces
- Scheda dati:
- SM6K2T110.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-74, SOT-457 |
| Altri nomi: | SM6K2T110-ND SM6K2T110TR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SM6K2T110 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount SMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SM6K2T110
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN | Inchiesta |
 |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | Inchiesta |
 |
APTM10HM09FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | Inchiesta |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
TC7920K6-G | Microchip Technology | MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN | Inchiesta |
 |
SI7923DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | Inchiesta |
 |
FDG6301N_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 | Inchiesta |
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