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ZXMN2A04DN8TC
- Modello di prodotti:
- ZXMN2A04DN8TC
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13742 Pieces
- Scheda dati:
- ZXMN2A04DN8TC.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 700mV @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.8W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | ZXMN2A04DN8TC |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1880pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.1nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.9A |
| Email: | [email protected] |
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