SPB17N80C3
SPB17N80C3
Modello di prodotti:
SPB17N80C3
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14028 Pieces
Scheda dati:
1.SPB17N80C3.pdf2.SPB17N80C3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:290 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):227W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP000013370
SPB17N80C3ATMA1
SPB17N80C3INTR
SPB17N80C3T
SPB17N80C3XT
SPB17N80C3XTINTR
SPB17N80C3XTINTR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:SPB17N80C3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:177nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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