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SPD04N60S5BTMA1
- Modello di prodotti:
- SPD04N60S5BTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15485 Pieces
- Scheda dati:
- SPD04N60S5BTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | SP000313946 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPD04N60S5BTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SPD04N60S5BTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD04P10PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 | Inchiesta |
|
SPD04N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | Inchiesta |
|
SPD04N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252 | Inchiesta |
|
SPD04N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK | Inchiesta |
|
SPD04N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | Inchiesta |
|
SPD04N50C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | Inchiesta |
 |
IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | Inchiesta |
|
SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252 | Inchiesta |
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NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | Inchiesta |
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Inchiesta |
 |
IXFK88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 | Inchiesta |
|
SPD04P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 | Inchiesta |
|
SPD04N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A TO-252 | Inchiesta |
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