SPD11N10
SPD11N10
Modello di prodotti:
SPD11N10
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16783 Pieces
Scheda dati:
SPD11N10.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 21µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:P-TO252-3
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:SP000013847
SPD11N10INTR
SPD11N10XT
SPD11N10XT-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPD11N10
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount P-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.5A (Tc)
Email:[email protected]

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