Acquistare SPP16N50C3HKSA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 675µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 280 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 160W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
Altri nomi: | SPP16N50C3 SPP16N50C3IN SPP16N50C3IN-ND SPP16N50C3X SPP16N50C3XK SPP16N50C3XTIN SPP16N50C3XTIN-ND |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | SPP16N50C3HKSA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 560V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Tensione drain-source (Vdss): | 560V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |