RJK6025DPD-00#J2
RJK6025DPD-00#J2
Modello di prodotti:
RJK6025DPD-00#J2
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15532 Pieces
Scheda dati:
RJK6025DPD-00#J2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:MP-3A
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:17.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):29.7W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:RJK6025DPD-00#J2-ND
RJK6025DPD-00#J2TR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:RJK6025DPD-00#J2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:37.5pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 1A (Ta) 29.7W (Tc) Surface Mount MP-3A
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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