SQ4410EY-T1_GE3
Modello di prodotti:
SQ4410EY-T1_GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19897 Pieces
Scheda dati:
SQ4410EY-T1_GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SQ4410EY-T1-GE3
SQ4410EY-T1-GE3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:SQ4410EY-T1_GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2385pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 15A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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