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IRFB33N15D
- Modello di prodotti:
- IRFB33N15D
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 16570 Pieces
- Scheda dati:
- IRFB33N15D.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFB33N15D, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFB33N15D via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 56 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | *IRFB33N15D |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFB33N15D |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2020pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 150V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 150V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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