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SSM6L35FE,LM
- Modello di prodotti:
- SSM6L35FE,LM
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15333 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SSM6L35FE,LM.pdf2.SSM6L35FE,LM.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | SSM6L35FE(TE85LF)TR SSM6L35FE(TE85LF)TR-ND SSM6L35FE,LM(B SSM6L35FE,LM(T SSM6L35FELM(TTR SSM6L35FELM(TTR-ND SSM6L35FELMTR SSM6L35FETE85LF |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SSM6L35FE,LM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.5pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180mA, 100mA |
| Email: | [email protected] |
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