SSM6L36FE,LM
SSM6L36FE,LM
Modello di prodotti:
SSM6L36FE,LM
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19751 Pieces
Scheda dati:
1.SSM6L36FE,LM.pdf2.SSM6L36FE,LM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:ES6 (1.6x1.6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:630 mOhm @ 200mA, 5V
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:SSM6L36FE(TE85LF)TR
SSM6L36FE(TE85LF)TR-ND
SSM6L36FE,LM(B
SSM6L36FE,LM(T
SSM6L36FELMTR
SSM6L36FETE85LF
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM6L36FE,LM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:46pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.23nC @ 4V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA, 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:500mA, 330mA
Email:[email protected]

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