STB18N55M5
STB18N55M5
Modello di prodotti:
STB18N55M5
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13529 Pieces
Scheda dati:
STB18N55M5.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs:192 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:497-11227-1
497-11227-5
497-11227-5-ND
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STB18N55M5
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):550V
Descrizione:MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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