STB20NM50-1
STB20NM50-1
Modello di prodotti:
STB20NM50-1
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15571 Pieces
Scheda dati:
STB20NM50-1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK
Serie:MDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs:250 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):192W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:497-5382-5
STB20NM50-1-ND
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STB20NM50-1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1480pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 550V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole I2PAK
Tensione drain-source (Vdss):550V
Descrizione:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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