STH320N4F6-6
STH320N4F6-6
Modello di prodotti:
STH320N4F6-6
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14642 Pieces
Scheda dati:
STH320N4F6-6.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:H²PAK
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs:1.3 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi:497-13838-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STH320N4F6-6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13800pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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