STI6N80K5
STI6N80K5
Modello di prodotti:
STI6N80K5
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20600 Pieces
Scheda dati:
STI6N80K5.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK
Serie:SuperMESH5™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.6 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:497-15017-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:STI6N80K5
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:255pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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