RJK6011DJE-00#Z0
Modello di prodotti:
RJK6011DJE-00#Z0
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17957 Pieces
Scheda dati:
RJK6011DJE-00#Z0.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92MOD
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:52 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):900mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:RJK6011DJE-00#Z0
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 100mA (Ta) 900mW (Ta) Through Hole TO-92MOD
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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