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TK12E60W,S1VX
- Modello di prodotti:
- TK12E60W,S1VX
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13107 Pieces
- Scheda dati:
- TK12E60W,S1VX.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.7V @ 600µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Serie: | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | TK12E60W,S1VX(S TK12E60WS1VX |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK12E60W,S1VX |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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