TK5A50D(STA4,Q,M)
TK5A50D(STA4,Q,M)
Modello di prodotti:
TK5A50D(STA4,Q,M)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12736 Pieces
Scheda dati:
TK5A50D(STA4,Q,M).pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220SIS
Serie:π-MOSVII
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:TK5A50D(STA4,Q,M)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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